「香港飛龍」標誌 本文内容： 公衆號記得加星標??，第一時間看推送不會錯過。在科技浪潮奔湧的當下，全球存儲市場早已形成了涇渭分明的競爭版圖——三星、SK海力士、美光三大巨頭宛如鼎立的行業巨擘，牢牢把控着存儲行業命脈。根據TrendForce集邦諮詢數據披露，2025年第一季度數據顯示，SK海力士以36%的DRAM營收份額位居榜首，三星（33.7%）與美光（24.3%）緊隨其後，三家合計佔據全球DRAM市場94%的份額。在NAND閃存領域，三星以31.9%的市佔率領跑，SK海力士（含Solidigm）以16.6%位列第二，美光、鎧俠和閃迪則分別佔據15.4%、14.6%和12.9%的市場份額。三星電子以“存儲帝國”之姿長期霸榜，在NAND閃存與DRAM領域展開其全產業鏈佈局。憑藉垂直整合優勢與持續的研發投入，三星不僅能快速響應消費電子市場的多變需求，更在企業級存儲解決方案中佔據標杆地位，穩坐全球存儲市場頭把交椅。不過已連續30多年牢牢佔據着DRAM行業第一寶座的三星，今年第一季度被擠到第二位，SK海力士取而代之。SK海力士則另闢蹊徑，在HBM這一高性能計算的“戰略要地”率先突圍。隨着AI算力需求呈指數級爆發，這家韓國企業憑藉領先近兩代的製程工藝與穩定的產能輸出，在HBM市場佔據近七成份額，成爲英偉達等AI巨頭的核心合作伙伴，書寫着存儲細分領域的逆襲傳奇；美光科技則以穩健的技術迭代與多元化產品矩陣緊追不捨，其產品覆蓋從傳統存儲到先進 3D XPoint技術，在PC、智能手機、數據中心等主流市場保持着強勁的議價能力。然而，當我們將目光投向這看似堅不可摧的“鐵三角”背後，那些曾在存儲歷史長河中閃耀的名字正訴說着行業的滄桑變遷。英特爾作爲半導體領域的老牌霸主，早年曾與美光攜手開創閃存時代，卻因戰略重心向CPU傾斜，在2025年徹底剝離NAND業務，黯然退出存儲主戰場。而日本存儲產業的興衰更堪稱行業教科書——上世紀80年代，東芝、日立等企業曾佔據全球DRAM市場半壁江山，卻因錯失3D堆疊技術先機與成本控制失利，最終在世紀之交的價格戰中全線潰敗，如今僅存的鎧俠（原東芝存儲）也只能在細分市場艱難求生。存儲市場，輸家聯盟再出發這些消逝的行業參與者，恰似存儲市場的“前朝遺珠”，既見證了技術變革的殘酷淘汰，也爲當下三大巨頭的崛起提供了借鑑。當我們深入剖析當前存儲市場格局的形成軌跡，不難發現：在全球化競爭的歷史進程中，這裏既有技術創新的驅動，也有戰略抉擇的博弈和產業政策的深層影響。而那些隱匿在巨頭陰影中的歷史註腳，正在洞察過存儲產業興衰密碼的背後，再次躍躍欲試。當存儲市場的產業格局看似牢不可破時，一場由技術顛覆與戰略重組引發的暗戰正在悄然上演。近日，曾因戰略重心轉移而退出存儲主戰場的英特爾，與急於在AI時代重建半導體話語權的軟銀集團攜手成立合資公司Saimemory，以“低功耗存儲革命者”的姿態重新殺入賽道。這場被業界稱爲“技術輸家聯盟”的合作，實則暗藏着對未來存儲生態的深度佈局。首先，我們先來回顧一下英特爾和日本在存儲產業的發展歷程和興衰始末。英特爾存儲業務：從技術先驅到戰略轉型的縮影相信熟悉英特爾的朋友都不陌生，英特爾以存儲技術起家。1970年，英特爾推出全球首款1K DRAM芯片1103，徹底顛覆磁芯存儲器的統治地位。憑藉雙軌研發策略（CMOS與雙極型技術並行）和IDM運營模式，英特爾在70年代一度佔據DRAM市場90%份額。1973年，英特爾推出的2102 SRAM更將存儲密度提升至1K，銷售額突破6600萬美元。這一時期，英特爾通過技術迭代和規模化生產，成爲全球存儲芯片的標杆企業。來到1980年代，此時日本企業通過VLSI國家項目實現技術突破，NEC、東芝等廠商憑藉高良率和低價策略（64K DRAM價格一年暴跌90%）迅速搶佔市場。1981年日本在16K DRAM市場佔比達40%，1985年64K時代更升至56%，而此時的英特爾因成本劣勢陷入鉅額虧損。兵敗如山倒，1985年英特爾宣佈退出DRAM市場，轉向CPU領域，這一決策被《經濟學人》稱爲“半導體史上最重大的戰略轉向”。直到1988年，英特爾與美光成立合資公司IM Flash，開發NAND閃存技術，開啓閃存時代的二次探索。經過多年發展，2007年英特爾推出25納米NAND，單個芯片容量達8GB，推動SSD普及。2015年與美光聯合發佈3D XPoint技術，品牌化爲“傲騰”（Optane），宣稱性能是傳統NAND的1000倍。但好景不長，英特爾迎來商業化困境，傲騰因成本過高、生態適配不足等原因，未能打開市場。2019年第三季度存儲部門營收雖增長19%，但持續虧損導致2021年將NAND業務以90億美元出售給SK海力士，成立Solidigm，徹底退出閃存市場。傲騰也最終於2024年停產，成爲技術領先但商業化失敗的典型案例。今年3月，英特爾完成了與 SK海力士的最後一筆交易，將其NAND閃存業務全面移交給SK海力士，包括知識產權和員工。這宣告着英特爾在2025年徹底退出了NAND業務。除了存儲業務的失敗，英特爾近年來也處於多業務受挫與戰略調整、轉型的陣痛之中。一方面，AI芯片市場持續失位，技術路線選擇與市場需求嚴重脫節；另一方面，付以衆望的晶圓代工業務同樣舉步維艱，英特爾代工服務（IFS）自2021年啓動以來，持續面臨技術延遲與客戶信任雙重危機，2024年虧損高達134億美元。此外，爲緩解現金流壓力，英特爾近年加速剝離、減持Altera和Mobileye等非核心資產。這些舉措雖帶來一些現金流，但卻也暴露出其“收縮戰線”的無奈——2024年淨虧損達188億美元，創歷史新高，進而引發公司大規模裁員與企業文化危機。能看到，在多重戰略失誤下，英特爾正在經歷業務全面承壓，技術路線與生態構建的雙重困境。日本存儲產業：從巔峯到衰落的啓示錄日本存儲產業的崛起始於1970年代，其核心驅動力是國家戰略與技術整合。上文提到，1975年日本啓動VLSI項目，整合富士通、日立等五大企業，攻克光刻、刻蝕等核心技術，獲得1000多項專利，使日本在1980年代掌握全球70%的DRAM產能。當時，日本DRAM芯片的良品率比美國高30%，價格低60%。同時，日本企業聚焦全產業鏈模式，從設計到生產全流程把控，例如在清洗設備領域通過液體材料的非標準化整合形成隱性知識壁壘等。根據1980年惠普研究顯示，美國最好企業的錯誤率是日本最差企業的6倍。1985年，日本在全球DRAM市場份額達80%，NEC、東芝、富士通等日企躋身全球半導體企業前五。但很快，備受打壓的美國開啓了反擊。1986年，《美日半導體協議》強制日本開放市場、限製出口價格，並對DRAM徵收100%關稅，協議要求美國半導體在日本市場份額達20%，貿易制裁直接削弱日本產品競爭力，導致其錯失了個人計算機市場的爆發期。1987年，美國以東芝向蘇聯出售精密機牀爲由，禁止其產品出口美國2-5年，進一步打擊了日本半導體產業。與此同時，隨着韓國與中國臺灣廠商崛起，日本廠商逐漸被市場邊緣化。三星通過“逆週期投資”在價格低谷期擴產，1992年推出全球首款64M DRAM。2008年金融危機後徹底擊垮日本企業。日本企業則因過度依賴DRAM，錯失NAND閃存發展機遇，東芝雖在1984年發明閃存，但未及時商業化。另一箇關鍵原因還在於，日本過於追求極致品質但忽視成本控制。例如，爾必達在2000年代仍堅持採用12英寸晶圓廠，而在市場景氣衰落時韓國已轉向14納米製程，導致日本存儲芯片成本劣勢擴大。在多重打擊下，日本存儲產業節節衰退，隨之而來的是市場份額的崩塌。2012年爾必達破產被美光收購，標誌着日本DRAM產業徹底退出歷史舞臺。2023年，日本半導體企業無一進入全球前十，DRAM市場份額不足1%。英特爾與日本存儲產業的興衰揭示了半導體行業的核心規律：技術路線決定生死：英特爾在DRAM時代因技術路線單一被日本超越，卻通過CPU生態重建霸權；日本因過度依賴DRAM的單一技術路線、錯失閃存機遇而衰落，卻在材料設備領域保持優勢。政策與資本的關鍵作用：日本VLSI項目和韓國逆週期投資證明，國家戰略與資本投入能改變產業格局；而美日貿易制裁則凸顯地緣政治對技術競爭的深刻影響。生態系統的重要性：英特爾Optane的失敗與日本存儲產業的衰退，與其未能構建開放的技術生態密切相關，技術創新需與產業鏈協同、市場需求深度綁定，否則難以實現商業化突破。失意者惺惺相惜：軟銀的AI野心與英特爾的技術反哺當存儲巨頭三星、SK海力士、美光築起護城河時，兩個“失意者”正試圖背水一戰——曾因戰略失誤退出存儲市場的英特爾，與歷經DRAM霸權崩塌的日本存儲產業，通過英特爾與軟銀的合資公司Saimemory再度聯手，重新出發。衆所周知，目前大多數AI處理器皆使用HBM芯片，這類芯片非常適合暫存AI GPU所處理的大量數據資料，但由於HBM製程相對複雜、成本高昂，且容易過熱、耗電較多。與此同時，HBM領域還面臨SK海力士、三星、美光等存儲大廠近乎壟斷的地位。對此，英特爾與軟銀選擇另闢蹊徑——開發基於堆疊式DRAM的新型AI內存芯片。這種採用不同於HBM佈線方式的創新設計，通過垂直堆疊多顆DRAM芯片並改進互連技術（如英特爾的EMIB橋接技術），優化連接方式，達到比現行先進存儲器儲存容量至少大一倍，在提升單芯片容量至512GB的同時，將功耗降低約50%，並大幅降低成本的目標。相較於HBM依賴硅通孔（TSV）技術的複雜工藝，Saimemory的方案更側重通過結構優化實現能效突破，預計量產成本僅爲HBM的60%。同時，該技術路徑兼容現有AI處理器接口，無需大規模硬件改造，降低客戶遷移成本。這一技術路線已獲得東京大學等機構的專利支持。據悉，這並非首次有半導體公司嘗試3D堆疊式DRAM技術。三星早在2024年便宣佈推出3D堆疊式DRAM，另一家公司NEO Semiconductor也正開發名爲3D X-DRAM的新技術。然而，這些方案主要着眼於提升單一芯片的容量，目標爲打造512GB的大容量存儲器模組。相較之下，Saimemory則聚焦於降低耗電量，這對電力需求年年攀升的AI數據中心來說，無疑是迫切的新解法。投資方面，軟銀此次注資30億日元成爲最大股東，降低英特爾研發風險，同時藉助日本政府補貼（預計超50億日元）分攤成本。據瞭解，Saimemory的目標是2027年前完成原型設計並評估量產可行性，力拼2030年前實現商業化。根據合作協議，若這項技術成功，軟銀將優先獲得Saimemory產品供應，用於其正在籌建的AI訓練數據中心，目標是以更低成本構建高性能計算集羣。目前全球僅有三星、SK海力士與美光三家公司能生產最新一代HBM芯片。由於AI芯片需求旺盛，HBM供應持續喫緊，Saimemory希望藉由這項替代產品，搶攻日本數據中心的市場。對於英特爾而言，這既是其“IDM 2.0”戰略的延伸，也是技術資源的二次激活：通過開放芯片堆疊、封裝等核心技術，英特爾試圖在存儲領域重建生態影響力，而非單純依賴自有製造能力。值得關注的是，該項目還獲得東京大學、日本理化學研究所等機構的技術支持，暗含日本政府推動本土半導體復興的深層訴求。這也是日本20多年來首度力圖重返存儲器芯片主要供應國之列。總體來看，此次合作瞄準AI數據中心的低功耗存儲需求，以堆疊式DRAM技術繞開HBM專利壁壘，依託日本政策補貼與軟銀算力需求，試圖在2030年前撕開市場缺口。這場“輸家聯盟”的破局之戰，既是技術路線的背水一戰，更是全球存儲格局重構的關鍵變量。攪動存儲格局的變量與隱憂進一步講，這場合作更深遠的影響在於，它標誌着存儲市場競爭維度的升級——從單純的製程競賽轉向架構創新與生態整合。當三星、SK海力士在HBM賽道你追我趕時，英特爾與軟銀的“低功耗替代方案”或許正在開闢第二戰場。正如行業專家向筆者強調：“在AI算力需求呈指數級增長的今天，任何能夠顯著降低能耗、提升數據處理效率的技術，都可能重塑市場格局。”而這場技術博弈的最終結果，或將決定下一個十年存儲產業的權力版圖。尤其是英特爾和日本企業這兩位曾經的“存儲先驅”入局，更意味着這或許不僅是頂級玩家之間的一場技術競賽，更可能引發未來幾年內存領域的供應鏈大洗牌。AI時代對內存的需求只增不減，而HBM的壟斷格局正等待被打破。Saimemory可能是這場變革中的“黑馬”，將對存儲巨頭從技術路徑、市場份額和產業生態等三個維度，帶來結構性挑戰。技術路徑分流，重構AI存儲競爭邏輯：Saimemory開發的堆疊式DRAM通過架構創新實現功耗降低40%-50%的核心突破，這直接切中AI數據中心電力成本高企的痛點。尤其是在2024年HBM價格上漲超50%，2025年仍供不應求的情況下。儘管其帶寬性能尚未明確超越HBM，但在邊緣計算、中小型AI服務器等對功耗敏感的場景中，可能形成差異化競爭力。這種技術路線分流可能迫使三大巨頭在維持HBM性能優勢的同時，加速研發低功耗替代方案——三星已在2025年宣佈開發3D DRAM，但重點仍在容量提升；SK海力士則通過與臺積電合作HBM4封裝技術強化性能壁壘。存儲市場份額博弈：Saimemory的戰略支點之一是幫助日本搶佔數據中心市場。日本政府不僅通過高校和研究院所提供技術支持，還可能通過政策傾斜幫助其打開本土市場。這對三星、SK海力士構成雙重壓力：一方面，日本曾是全球DRAM核心市場，若Saimemory實現國產化替代，可能導致韓企在亞太地區的份額下滑；另一方面，軟銀作爲投資者優先獲得供應權，可能推動日本雲服務商調整採購策略，減少對韓系HBM的依賴。當前，三星、SK海力士在日本HBM市場的份額超過80%，Saimemory若能在2030年前實現量產，預計將分流市場需求。繞開HBM專利壁壘，產業生態重構：英特爾的技術開放策略可能打破現有專利壟斷格局。Saimemory整合了英特爾的EMIB封裝技術和東京大學的存儲架構專利，形成繞過HBM核心專利的技術組合。儘管三星、SK海力士持有HBM相關專利超4000項，但Saimemory的堆疊式DRAM通過佈線方式創新，可能在部分應用場景中規避侵權風險。不過，英特爾與日本存儲產業的復興之路仍充滿挑戰。儘管Saimemory計劃在2030年前實現商業化，但其技術可行性與市場接受度仍存懸念。當前HBM市場正處於爆發期，SK海力士已宣佈2025年HBM產能將翻倍至54萬顆/月，三星也加速推進HBM4量產。Saimemory若想在AI存儲市場分一杯羹，需在性能指標上達到或接近HBM水平，同時證明其成本優勢。此外，代工模式的產能穩定性、專利壁壘（HBM相關專利多被三星、SK海力士掌握）以及巨頭的技術壓制，都可能成爲項目落地的“攔路虎”。例如，代工模式雖能降低初期投資，但產能穩定性和良率控制存疑——SK海力士已通過與臺積電合作HBM4封裝鎖定產能優勢，而三星憑藉IDM模式可快速調整產線，將HBM良率提升至90%以上。而Saimemory依賴臺積電代工，若無法在2030年前將良率穩定在90%以上，量產成本可能難以低於HBM的70%。與此同時，三大巨頭還可能通過價格戰擠壓Saimemory的生存空間——2025年HBM3E價格已同比下降18%，對Saimemory成本進一步造成衝擊。此外，與現有AI處理器的兼容性適配尚未完全驗證，需與英偉達、AMD等芯片廠商深度協同。在產業鏈協同方面，Saimemory需構建從材料到設備的完整生態。但相比之下，三大巨頭的生態壁壘更爲堅固：三星與AMD深度綁定CXL技術，SK海力士通過CoWoS封裝與臺積電形成產能協同，美光則與英偉達簽訂長期供應協議。若Saimemory無法在2030年前建立類似的生態聯盟，也可能難以突破技術孤島困境。在這個過程中，各大存儲巨頭還在不斷通過產能擴張應對需求，可能擠壓Saimemory的市場空間。這場遲來的戰略突圍，既是技術路線的博弈，更是全球產業鏈權力重構的縮影。這場博弈的最終結果將取決於技術落地速度與市場接受度，Saimemory的競爭力呈現“細分市場破局潛力大，但主流市場替代難度高”的特點。若Saimemory能在2030年前實現商業化，可能在AI存儲市場中開闢出10%-15%的“低功耗細分市場”，並推動存儲技術從單一性能競賽轉向“性能-功耗-成本”多維競爭。然而，面對三星、SK 海力士、美光等巨頭的技術迭代壁壘與生態封鎖，這場“輸家聯盟”的突圍能否打破“強者恆強”的產業鐵律？當技術理想照進商業現實，當區域政策對接全球需求，Saimemory的每一步試探，都在改寫存儲產業的可能性邊界。而屬於這場博弈的最終註腳，或許藏在2030年的量產數據裏，在巨頭們的應對策略中，更在技術與市場永恆互動的留白處，靜待時間揭曉答案。*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體行業觀察。今天是《半導體行業觀察》爲您分享的第4059期內容，歡迎關注。加星標??第一時間看推送，小號防走丟求推薦 (本文内容不代表本站观点。) --------------------------------- |
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