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美光,跑贏三星海力士

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公衆號記得加星標??,第一時間看推送不會錯過。來源:內容來自半導體行業觀察綜合。據韓媒報道,NVIDIA 委託三星、SK 海力士和美光開發SoCEM 內存模組,出乎意料的是美光竟是第一家獲得量產批准的公司,速度比三星、SK 海力士更快。據瞭解,新的 SoCEM 標準是由 NVIDIA 構思的內存模塊,由 16 個堆疊的 LPDDR5X 芯片組成,每 4 個一組,其主要作用是提供輔助支持,以確保 AI 加速器達到最佳性能。我們有望在 NVIDIA 的下一代 AI GPU Rubin 中看到 SoCEM 的身影,該 GPU 將於 2026 年推出。與通過垂直鑽孔連接 DRAM 的 HBM 不同,SoCEM 採用引線鍵合技術製造,用銅線連接 16 個芯片。銅具有高導熱性,其主要優勢在於最大限度地減少每個 DRAM 芯片的發熱量。美光公司表示,其最新低功耗 DRAM 的功率效率比競爭對手高出 20%。NVIDIA 的下一代 AI 服務器(搭載 Rubin AI GPU 和 Vera CPU)將使用 4 個 SoCEM 內存模塊,按 LPDDR5X 內存芯片數量計算,總計將達到 256 個。新報告補充道,業界指出,美光公司之所以能夠比 SK 海力士或三星更早地供應 SoCEM 內存芯片,是因爲美光公司較晚採用 EUV 光刻設備。業界認爲,美光較晚採用極紫外光(EUV)曝光設備,反而早於三星與SK 海力士供貨,這意味着,美光通過其設計結構的創新使用了低發熱量技術,同時提高了內存性能,實現了雙贏。不只是SoCEM,美光在多項技術升級都顯示技術實力提升。據傳,在今年三星的Galaxy S25 系列中,美光供應大部分初期的低功耗DRAM,超越三星自家半導體產品,也是美光首次成爲三星智能手機的「主要內存供應商」。此外,美光早在2022 年就率先開發出全球首款LPDDR5X,並將其導入iPhone 15 系列。業界預期,美光將藉由其低熱量產生的技術,進一步擴大其HBM 市佔率,因爲堆疊的DRAM 芯片數持續增加,而堆疊本身就會帶來熱的問題。目前三大內存廠商預計下半年開始量產12 層堆疊HBM4、明年上半年推出16 層堆疊HBM4。一間設備廠業者透露,雖然美光進入HBM 市場較晚,但憑藉其散熱管理技術,以及作爲美國企業的地緣優勢,隨時都可能迎頭趕上。該公司目前在新加坡、日本廣島、美國紐約,以及中國臺灣建設HBM 廠,使得公司今年資本支出高達140 億美元,這也令業界猜測是否已經從主要客戶取得穩定訂單。*免責聲明:本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點,半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點,不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持,如果有任何異議,歡迎聯繫半導體行業觀察。今天是《半導體行業觀察》爲您分享的第4062期內容,歡迎關注。加星標??第一時間看推送,小號防走丟求推薦


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